产品名称

SiO2 晶体基片

技术参数

晶体结构：六方晶系

晶格常数：a=4.914Å  c=5.405 Å

密度：2.533

熔点：1700℃ ( phase transition point: 573.1oC)

莫氏硬度：（Mohs）7.0

折射率：1.544

介电常数：3.6

热膨胀系数5×10-7/k

生长方法：水热法

产品规格

常规晶向： Y、X或Z切，Y在30º~42.75 º ±5分范围内旋转任意值

常规尺寸： 10x10x0.5mm;dia2"x0.5mm;dia4"x0.5mm;

抛光情况：单抛、双抛

抛光面粗糙度：< 5A注：尺寸及方向可按照客户要求定做。

晶体缺陷

人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。

标准包装

1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装。