产品名称

4H-SiC晶体基片

技术参数

晶体结构: 六方晶系

晶格常数：a=3.08Å  c=10.05Å

熔点2827℃

硬度(Mohs)：≈9.2

方向：生长轴或偏(0001) 3.5°

密度（g/cm3）3.16

带隙：2.93eV (间接)

导电类型：N导电

电阻率:0.1-0.01 ohm-cm

介电常数：e(11) = e(22) = 9.66     e(33) = 10.33

导电率：5W / cm·K

生长方式：MOCVD(有机金属化学气相沉积）

产品规格

常规晶向：

常规尺寸：10x5mm 10x10mm,dia2"x0.33mm,dia4"x0.35mm

抛光情况：单抛、双抛抛光面：常规单抛为“Si” 面抛光，可按要求做“C”面抛光

抛光面粗糙度：< 15A注：尺寸及方向可按照客户要求定做。

晶体缺陷

人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。

标准包装

1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装