产品名称

三氧化二铝(Al2O3)晶体基片

技术参数

晶体结构：六方晶

系晶格常数：a =4.758 Å   c= 12.992 Å

纯度：>99.99％

密度：3.98  g/cm3

硬度：9 ( mohs)

熔点：2040 ℃

热膨胀：7.5 (x10-6/ oC)

热导46.06@0oC25.12@100oC,12.56@400oC( W/(m.K) )

介电常数： ~ 9.4 @300Kat A axis ~ 11.58@ 300K at C axis

生长方法： 泡生法Ky

产品规格

常规晶向： C（0001）, A（11-20）, M（10-10）, R（1-102）

晶向公差:±0.5°内

常规尺寸：dia3"x0.5mm,  dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm

抛光情况：单抛, 双抛

抛光面粗糙度:Ra<5A(5x5μm范围内)

注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

晶体缺陷

人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。